今天主要来说说固态硬盘颗粒的等级，因为黑白片之类的并不是在一个生产环节产生，所以如果要想很好的了解，还需要简单的介绍下NAND闪存的制造过程。
一、单晶硅棒
看图就可以知道，这一步基本上就将单硅晶棒子进行切割抛光使其成为比较完美的wafer「晶圆」，目前主流使用的都是12寸的晶圆，因为较小的晶圆出去圆外围的部分内部可供使用的die并不是很多，相对12寸可用面积较大。这里解释下，硅晶圆片称之为wafer晶圆，切割后的一小块正方体为die。
二、光刻技术与离子刻蚀技术
这一步就是利用光刻技术与离子刻蚀技术将晶圆制作成需要的样子，这一步也是整个制造中比较核心的部分，也是顶尖科技聚集的部分，除此之外还有一些其他步骤，最终成为可用的晶圆。这一步说起来容易，但是实际是从N微米一路发展到如今的10NM左右制程，这进步是很难得的，目前国产半导体制造行业主要也是被这一步限制。
三、切割晶圆
这一步其实没什么好说，就是利用切割机进行切割，同时四周非标准形状「没办反切割出完整的方形的部分」会被回收，制作新的单硅晶棒。
四、die的筛选
这一步会对die进行筛选，也就是这一步会产生黑片，如果要说这一步其实需要分开说，因为固态颗粒和显卡处理器之类的产品不是完全一样的，这里会稍微提一下处理器和显卡之类产品的筛选。首先说明下NAND闪存。「上图颜色不同代表品质不同，工厂会进行挑选，也就产生了颗粒的等级。」
上图黑色部分就是挑走的颗粒，剩下则为较差的颗粒。
